SRAM
Mengutamakan transistors berganda, biasanya 4 hingga 6 untuk setiap memory cell tetapi tiada capasitor dalam setiap cell.
DRAM
Terdapat memory cells dengan sepasang transistor dan capacitor yang memerlukan refreshing yang berterusan. Proses refresh ini berlaku secara automatik seribu kali per saat.
Capacitor dalam DRAM memory cell adalah seperti baldi bocor di atas. Ia perlu refresh selalu atau akan discharge kepada 0. Proses refresh ini mengambil masa dan melambatkan memory.
- Fast page mode dynamic random access memory (FPM DRAM)
- merupakan bentuk DRAM yang asal.
- menunggu proses keseluruhan mencari sedikit data mengikut row dan column dan kemudian
membaca sedikit sebelum ia bermula pada bit seterusnya. - Extended data-out dynamic random access memory (EDO DRAM)
- tidak menunggu keseluruhan proses bit pertama sebelum sambung kepada bit seterusnya.
- apabila sahaja address bit pertama dicari, ia bermula mencari bit seterusnya.
- lebih cepat 5 peratus daripada FPM DRAM. - Synchronous dynamic random access memory (SDRAM)
- mengambil kelebihan burst mode concept untuk meningkatkan prestasi.
- ini berlaku dengan berada atas row yang mempunyai bit yang diminta dan bergerak dengan cepat
melalui column, membaca setiap bit.
- idea ini adalah data yang diperlukan oleh CPU berada dalam urutan.
- lebih cepat 5 peratus daripada EDO DRAM dan paling biasa digunakan dalam desktops hari ini. - Double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM)
- sama seperti SDRAM kecuali DDR SDRAM lebih cepat. - Rambus dynamic random access memory (RDRAM)
- adalah radical depature dari seni bina DRAM sebelumnya.
- RDRAM sangat berbeza kerana menggunakan high-speed data bus yang istimewa yang dipanggil Rambus channel.
- oleh kerana ia beroperasi pada kelajuan yang tinggi, ia menjana lebih banyak haba. Untuk melepaskan haba yang berlebihan, Rambus chip dimasukkan dengan haba spreader yang kelihatan seperti wafer yang panjang dan nipis.
Complementary metal-oxide-semicomductor (CMOS) RAM:
-adalah sejenis cip memori yang mempunyai keperluan kuasa yang rendah.
Video VRAM:
-adalah juga dikenali sebagai multiport dynamic RAM.
-secara spesifik digunakan untuk video adapter atau 3-D accelerators.
Single in-line memory module (SIMM)
-menggunakan 30-pin connector dan sebesar 3.5 x 0.75 inches.
-perlu dipasang secara berpasangan dengan kapasiti dan kelajuaan yang sama banyak.
Dual in-line memory module (DIMM)
-dengan 168-pin atau 184-pin connector dengan saiz 5.4 x 1 inch.
-boleh dipasang dengan sendiri tanpa berpasangan.
Small outline dual in-line memory module (SODIMM)
-adalah kecil iaitu kira-kira 2 x 1 inch.
-kapasiti adalah dari 16MB hingga 1GB untuk setiap module.
No comments:
Post a Comment